20世纪初，关注被毛皮商人带至美国。

｜数术赋(d)曲线表示环境条件下硼烯薄片的厚度约为3 Å。字技(a)在Cu(111)上生长的厚约4个单层表面包覆物的硼烯的明场LEEM图像。

然而，型电效凸显本次通过在Cu(111)表面上生长硼烯，型电效凸显得到了尺寸高达100μm2的大的单晶畴，进而发现硼烯的晶体结构为新奇的三角网络，且存在浓度为1/5的六角空位。力系投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。设计异质结需要合成大尺寸畴，统成因而，从器件制备的角度看这是至关重要的。

【小结】以Cu和Ag为衬底的数据均表明，关注原子级别厚度的二维硼烯薄片的形成是一个自限制过程，关注基于原子级的二维薄膜有利于异质结的合成，超过1个原子层厚度时，即使硼的流量持续增加，其在Cu和Ag上的生长速率仍会有显著下降。｜数术赋(e)硼烯的超高分辨STM数据。

其次，字技该工作阐释了选择不同的衬底材料时其余的几种差异，字技如生长动力学、引入的原子流量或衬底温度对结构的影响、膜层附着力和起伏(rippling)性质。

(g)硼原子和连接键的硼烯结构球棍模型示意图，型电效凸显通过DFT模拟，红色点划线延续了(e)图中基本的锯齿模式。参考文献：力系[1]P.Král,M.Shapiro,Phy. Rev. Lett. 2001,86,131.[2]S.Ghosh,A.K.Sood,N.Kumar,Science 2003,299,1042.[3]Q.Yuan,Y.P.Zhao,J. Am. Chem. Soc. 2009,131,6374.[4]Z.Liu,K.Zheng,L.Hu,J.Liu,C.Qiu,Adv.Mater. 2010,22,999.[5]Y.Xu,P.Chen,J.Zhang,S.Xie,F.Wan,J.Deng,X.Cheng,Y.Hu,M.Liao,B.Wang,X.Sun,H.Peng,Angew. Chem. Inter.Ed. 2017,56,12940.[6]S.He,Y.Zhang,L.Qiu,L.Zhang,Y.Xie,J.Pan,P.Chen,B.Wang,X.Xu,Y.Hu,C.T.Dinh,P.DeLuna,M.N.Banis,Z.Wang,T.Sham,X.Gong,B.Zhang,H.Peng,E.H.Sargent,Adv.Mater. 2018,30,1707635.[7]R.Liu,C.Liu,S.Fan,ACS Appl. Mater. Inter. 2018,10,35273.本文由材料人科技顾问艾佳供稿，力系编辑部编辑整理。

统成他们的研究表明水分子和CNT之间的电荷转移相互作用具有局部极化特性。他们认为发电机制并不是PetrKrál等人之前提出的动量转移过程，关注而是由液-固界面附近的速度梯度产生的局部中性电荷的波动不平衡引起的。

与PCNT（0.129eV）相比，｜数术赋OCNT上水分子的结合能更高（0.772eV），这表明极化系统中的相互作用更强。字技他们观察到电压输出对流速和极性以及液体离子浓度的对数依赖性。