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[博海拾贝1115]这怕是新垣结衣最邪恶的动图

2025-07-02 06:12:21创意工坊 作者:admin
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博海进入国家自然科学基金委员会优秀青年科学基金项目答辩阶段(2019)。

以第一作者或通讯作者在NanoEnergy、拾贝新Small、Nanoscale、ChemicalEngineeringJournal等Top期刊发表多篇学术论文。垣结衣最获得2018年度广东省自然科学二等奖(排名第三)。

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我们将SPS技术应用于Sb2Se3定向成分溅射靶材烧结(图9),邪恶首先将定向比例的Sb2Se3粉末进行球磨,邪恶然后采用等离子体烧结制备出直径为60mm、厚度为2mm且相对密度达到98%的高质量非晶Sb2Se3定向成分靶材(相关工作发表在Sol.Energy Mater.Sol.Cells, 2020, 211, 110530)。引言:博海近年来,博海硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维独特结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势,在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。图文导读:拾贝新图1 Sb2Se3薄膜太阳电池制备过程示意图图2 不同厚度Sb2Se3薄膜的XRD图谱 (a),拾贝新不同厚度Sb2Se3薄膜的SEM图(标尺为1µm)(b-f)图3Sb2Se3薄膜的拉曼光谱 (a),薄膜的反射光谱(b),薄膜的光学带隙(c)图4Sb2Se3薄膜太阳电池器件性能统计,开路电压(Voc)(a),短路电流密度(Jsc)(b),填充因子(FF)(c),转换效率(PCE) (d),器件J-V曲线 (e),EQE图谱 (f)图5 Sb2Se3薄膜太阳电池器件的电学性能表征,暗态J-V曲线 (a),并联电导G(b),串联电阻R和理想因子A(c),反向饱和电流密度Jo(d),器件trap-filledlimit(TFL)分析 (e-f)图6 Sb2Se3薄膜太阳电池器件的1/C2-V曲线 (a),CV和DLCP曲线 (b),剖面EBIC图 (c),EBIC信号强度曲线 (d)图7 太阳电池的形貌和结构表征,剖面SEM图及相应元素分布图 (a),剖面TEM/HRTEM/FFT图及Sb2Se3/CdS异质结界面元素分布图 (b)图8 Sb2Se3/CdS异质结热处理诱发元素扩散示意图 (a),能带排列变化示意图 (b)近期其他相关研究成果展示:1.等离子体烧结溅射用定向成分Sb2Se3合金靶材放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering,简称SPS)是制备功能材料的一种全新技术,它具有升温速度快、烧结时间短、组织结构可控、节能环保等鲜明特点。

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已在国内外主要专业学术期刊上发表SCI收录论文120余篇,垣结衣最获得美国和日本等国家授权发明专利7项,国内发明专利授权12项。高效率CIGS薄膜太阳电池Voc-def约354mV,邪恶而目前最高效率的Sb2Se3薄膜太阳电池开路电压为400mV,亏损接近800mV。

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另外,博海采用该法制备Sb2Se3薄膜可同时自主抑制MoSe2层过厚生长,博海结合第一性原理计算研究Sb、Mo和Se之间相互作用的强弱,发现高温热处理过程中Se取代体相Sb原子的取代能(-2.54eV)较Mo(-1.23eV)更低(相关工作发表在Chem.Eng.J., 2020,390, 124599)。

图9等离子体烧结的Sb2Se3溅射合金靶材2.溅射Sb硒化反应成膜及太阳电池构建采用溅射Sb金属预制层结合后硒化反应生长Sb2Se3薄膜,拾贝新其生长过程跟硒化时间密切相关(图10),拾贝新当硒化时间不足时,在底部容易因为硒化不完全出现细晶。2015年6月,垣结衣最创维发布了全球首台量产的4KHDR电视。

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